海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

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全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体昨日宣称，它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。

海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV（硅通孔技术）的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。